MOSFET大致分类：平面型MOSFET；Trench （沟槽型）MOSFET，主要用于低压领域；SGT（Shielded Gate Transistor，屏障栅沟槽）MOSFET，主要用于中压和低压领域；SJ-（超结）MOSFET，主要在高压领域应用。
SGT MOSFET结构具有电荷耦合效应，在传统沟槽MOSFET器件PN结垂直耗尽的基础上引入了水平耗�。骷鏲hang由三角形漫衍改变为近似矩形漫衍，在接纳同样掺杂浓度的外延质料规格qing况下，器件可以获得更高的击穿电压。较深的沟槽深度，可以使用更多的硅体积纁i誆AS能量，以是SGT在雪崩时可以做得更好，更能遭受雪崩击穿和浪涌电流。在开关电源，电机控制，动力电池系统等应用领域中，SGT MOSFET配合先进封装，很是有助于提高系统的效能和功率密度。
功率密度 SGT结构相对传统的Trench结构，沟槽挖掘深度深3-5倍，可以横向使用更多的外延体积来阻止电压，显著降低了MOSFET器件的特征导通电阻（Specific Resistance），例如相同的封装形状TO-252或TO-263封装，接纳SGT芯片手艺，可以获得更低的导通电阻。 如下图锂电掩护控制板①地方示 尊龙凯时人生就是博·(中国)官方网站接纳SGT工艺研发，在①处可放置LJM90N03T 、LJM120N03T、LJM80N06T等尊龙凯时人生就是博·(中国)官方网站MOS管 如下图锂电掩护控制板②地方示 串联络构下，可接纳2302、3400等MOS型号 参数如下： VGS=10V时，RDS（ON）=２.６mΩ（典型值） 低栅极电荷、低Crss、快速切换、额定极限dv/dt、100%雪崩测试、无铅电镀、切合RoHS。 锂电掩护 扫地机械人 吸尘器 无线充电 吸拖洗一体拖把 户外储能 移动电源 LED电源
地址：济南市高新区飞跃大道2016号创新工changF1/F3
济南尊龙凯时人生就是博·(中国)官方网站半导体有限公司 保留所有权力。
存案号：鲁ICP备14027391号
